硅壓阻式擴(kuò)散硅壓力傳感器是采用***精密半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測(cè)量電路的，具有較高高的測(cè)量精度、較高低的功耗和高低的成本。惠斯頓電橋的壓阻式傳感器，如無(wú)壓力變化，其輸出為***，幾乎不耗電。
  擴(kuò)散硅壓力變送器_產(chǎn)品實(shí)拍圖_仕樂(lè)克科技系列硅壓阻式擴(kuò)散硅壓力傳感器采用周邊固定的圓形應(yīng)力杯硅薄膜內(nèi)壁，采用仕樂(lè)克科技自主研發(fā)技術(shù)直接將四個(gè)***精密半導(dǎo)體應(yīng)變片刻制在其表面應(yīng)力高處，組成惠斯頓測(cè)量電橋，作為力電變換測(cè)量電路，將壓力這個(gè)物理量直接變換成電量，其測(cè)量精度能達(dá)0.25-0.5%FS。硅壓阻式擴(kuò)散硅壓力傳感器上下二層是玻璃體，中間是硅片，硅片中部做成***應(yīng)力杯，其應(yīng)力硅薄膜上部有***真空腔，使之成為一個(gè)典型的高壓擴(kuò)散硅壓力傳感器。應(yīng)力硅薄膜與真空腔接觸這面經(jīng)光刻生成電阻應(yīng)變片電橋電路。當(dāng)外面的壓力經(jīng)引壓腔進(jìn)入傳感器應(yīng)力杯中，應(yīng)力硅薄膜會(huì)因受外力作用而微微向上鼓起，發(fā)生彈性變形，四個(gè)電阻應(yīng)變片因此而發(fā)生電阻變化，破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡，電橋輸出與壓力成正比的電壓信號(hào)。
  擴(kuò)散硅壓力傳感器的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測(cè)這變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對(duì)應(yīng)于這高壓力的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)。